Diodo emissor de infravermelho
Diodo emissor de infravermelho admite modelos personalizados. O controle do usuario sobre os transmissores de infravermelho passa por todas as fases de fabricacao, iniciando-se em fusao e dopagem, passando pela fresagem e corte da pastilha, terminando na definicao do comprimento de onda (entre 750 e 2.200 nm), potencia emitida e tipo de encapsulamento. O fabricante disponibiliza composicoes como AlGaAs/GaAs, AlGaAs/AlGaAs, InGaAs/GaAs, ou InGaAs/InP, alem de possibilitar a adocao de estruturas cristalinas seguindo arquiteturas MQW, DDH ou DH. Objetiva os segmentos de aplicacoes em diagnose e terapia medicinal, instrumentacao de analise de fluidos e gases, controle de processos, sistemas eletronicos de seguranca, controle de energia e poluicao e sistemas militares/aeronauticos.
