Transistor de GaN

Transistor de GaN obtem ganho de 16 dB. Consistindo de familia de transistores HEMT (High Electron Mobility Transistor) de nitreto de galio (GaN) de alta potencia, destina-se aos clientes de base stations WiMAX e de infra-estruturas de celular, fornecendo solucoes de banda larga de alta potencia necessarias a infra-estrutura de "sem-fio" da proxima geracao. Proporciona maior impedancia, maior densidade de potencia e desempenho de banda larga mais ampla. Apresentando eficiencia de dreno de pico de ate 67% em UMTS e ate 60% em faixas de freqüencia WiMAX, atinge um ganho de 16 dB, densidade de potencia de ate 4 W/mm a 28 V e operacao confiavel de 1.000 h a altas temperaturas.